記事「cob」 の 検索結果 1098 件
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集積回路 製造工程 前工程 欠陥救済ダイ面積の大きい超大規模集積回路では、チップ上に一つも欠陥がない完璧な製品を作ることは非常に難しい。そこで、設計段階で予備の回路を前もって追加し、ウェハーテストで不良が検出されたときにそこを予備回路..
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集積回路 製造工程 前工程 クリーンルーム半導体工場の生産ラインは、それ自体が巨大なクリーンルームとなっている。生物学的クリーンルームよりも、半導体製造現場のほうが遥かに清浄度が高い。ウェハー上の1つの細菌細胞はトランジスタ100個近くを覆..
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集積回路 製造工程 前工程 表面処理集積回路は半導体表面に各種表面処理を複数実施して製造される。まずウェハーにはイオン注入によってドープ物質を打ち込み、不純物濃度を高める措置が行われる（最初に作られるこの層がゲートなどの集積回路の中枢..
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集積回路 製造工程 前工程前工程は、設計者によって作られた回路のレイアウトに従ってウェハー上に集積回路を作り込む工程である。光学技術、精密加工技術、真空技術、統計工学、プラズマ工学、無人化技術、微細繊維工学、高分子化学、コン..
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集積回路 製造工程 ウェハー製造集積回路の母材となるウェハーの原材料は、半導体の性質を持つ物質である。一般的な集積回路ではそのほとんどがシリコンであるが、高周波回路では超高速スイッチングが可能なヒ化ガリウム、低電圧で高速な回路を作..
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集積回路 製造工程半導体製造は、ウェハー上に回路を形成する前工程と、そこで作られたウェハーをダイに切断し、パッケージに搭載した後に最終検査を行う後工程に大きく二分される。 尚、これらの工程は一般に複数の工程専門企業..
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集積回路 歴史 SoCSystem-on-a-chip は、従来別々のダイで構成されていたものを統合することで、独立して動作するシステム全体を1つの集積回路上に実現するものである。例えば、マイクロプロセッサとメモリ、周辺..
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集積回路 歴史 WSIWSI (wafer-scale integration) は、複数のコンピュータ・システム等の全体をウェハー上に作り込み、個別のダイに切り離さずにウェハーの大きさのままで使用するという構想である[..
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集積回路 歴史 ULSIVLSIに続いて、新たにULSI (Ultra-Large Scale Integration) という語も作られ、集積される素子数が100万以上とも1000万以上ともされているが、そのような集積度..
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集積回路 歴史 VLSIもとの分類ではLSIに全て入るわけだが、1980年代に開発され始めたより大規模な集積回路を VLSI (Very Large Scale Integration) とするようになった。これにより、こ..
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集積回路 歴史 SSI、MSI、LSISSI、MSI、LSI というのは、集積する素子の数によってICを分類定義[要出典]したもので、「MSI IC」のようにも言うものであるが、今日ではほぼ使われず、ふつう、比較的小規模のものを単にIC..
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集積回路 歴史 ICの誕生実際に集積回路を考案したのはレーダー科学者ジェフリー・ダマー（英語版）（1909年生まれ）であった。彼は英国国防省の王立レーダー施設で働き、1952年5月7日ワシントンD.C.でそのアイデアを公表し..